Memorias Flash

Origen de las Memorias Flash

Las memorias Flash son memorias evolucionadas de las EEPROM (chips de memorias programables y borrables eléctricamente), a las que se accede la información por bloques. Para grabar un bloque en una memoria Flash, primero es necesario borrarlo completamente, y luego escribir los unos, donde los haya. Los bloques pueden ser desde 256 KB hasta 8 o 16 GB. Y su velocidad ya esta hasta 512KB/sg. En esencia las EEPROM son similares la RAM. La diferencia está en que cada celda del transistor contiene una capa material aislante (Puerta flotante), en la que con una relativamente alta tensión se pueden inyectar electrones que quedan allí indefinidamente atrapados, manteniendo la información (Cero o Uno) de la celda, a pesar de que se desconecte la alimentación del circuito. Durante la grabación se cargan o descargan de electrones de las puertas flotantes de cada celda (esto depende si se escribe 0 o un 1). La operación de lectura es más rápida y sencilla necesitándose niveles de tensión menores.

¿Qué es la memoria Flash?

La memoria Flash consiste en una pequeña tarjeta destinada a almacenar grandes cantidades de información en un espacio muy reducido. Usualmente es posible encontrarlas guardando las fotos de una cámara digital, los programas de calles y rutas de un GPS, la agenda de contactos de un teléfono celular o los archivos, correos y direcciones de una agenda PDA.
Este tipo de tarjetas son denominadas no volátiles, ya que conservan los datos aún cuando no se encuentran conectadas a la corriente eléctrica. Los primeros dispositivos de este tipo fueron fabricados en 1971 y eran denominadas EPROM por el inglés Erasable Programmable Read-Only Memory. Estos aparatos también eran capaces de almacenar los datos al cortar el flujo eléctrico, sin embargo, para volver a grabar información era necesario borrar a través de rayos ultravioleta.

Las tarjetas de memoria flash están hechas de muchísimas celdas microscópicas que acumulan electrones con diferentes voltajes a medida que la electricidad pasa a través de ellas, creando así un mapa de diferentes cargas eléctricas. De este modo la tarjeta logra guardar la información que el usuario requiere. Mientras más compacta esté distribuida su estructura, mayor información almacena, y asimismo también aumentan los costos en la fabricación de estos dispositivos.

La otra forma de almacenar toda esta información es a través de un disco duro, y la gran diferencia que tienen con las tarjetas de memoria Flash, es que estas últimas no cuentan con partes móviles (como el lector del disco), sino que están formadas por una sola pieza fabricada en un material semiconductor. De este modo se configura como un dispositivo de tamaño muy reducido que no pierde los datos cuando sufre de movimientos fuertes y/o golpes. Generalmente son de forma cuadrada o rectangular y se pueden conectar al computador a través de un puerto USB, por lo tanto, es posible intuir que se trata también de los famosos Pendrive o llaveros USB.

En comparación con los discos duros convencionales, las tarjetas de memoria Flash resultan ser bastante caras, ya se eleva la relación precio-capacidad de almacenaje. Sin embargo, vale la pena el gasto debido a lo cómodas que son, ocupando muy poco espacio y teniendo un peso bastante menor. Por otra parte estos precios disminuyen a medida que la tecnología avanza, y hoy es posible encontrar a precios muy convenientes memorias de más de 1 giga, tamaño de almacenamiento hace algunos años disponible únicamente para discos duros.

Funcionamiento de Memoria Flash

Las celdas de memoria Flash pueden gastarse al cabo de un determinado número de ciclos de escritura, que se cifran generalmente entre 100.000 y un millón, dependiendo del diseño de la celda y de la precisión del proceso de fabricación. El principal mecanismo de destrucción lo constituye el daño acumulativo que se produce sobre la puerta de flotación de la celda, debido a los elevados voltajes empleados, de forma repetitiva, para borrar la celda, o la capa de oxido se rompe o los electrones se acumulan en la puerta de flotación. Los fabricantes de memoria Flash tienen en cuenta este fenómeno e incorporan celdas adicionales que pueden sustituir a las gastadas. Además, muchos fabricantes de sistemas de memoria Flash destinados al almacenamiento de datos utilizan una técnica denominada de nivelación que consiste en desplazar los datos alrededor del chip para que cada celda se "gaste" lo más uniformemente posible.
Otra consideración a tener en cuenta es que se tarda mucho más en borrar una celda de la memoria Flash que en borrar un bit de datos del disco duro.
Curiosamente, la operación de borrado no se efectúa a la velocidad que se suele atribuir a la palabra FLASH, sino que tarda mucho. Esto se debe a que el voltaje relativamente elevado que se necesita, supone una gran cantidad de corriente. Dado que existen limitaciones acerca de la cantidad de corriente que pueden manejar los chips, también existen limitaciones en cuanto al número de celdas que se pueden borrar de una sola vez. Esta es la razón por la que los procesos de borrado se efectúan por grupos de celda.

Una celda de una memoria Flash es como un transistor convencional pero con una puerta adicional. Entre la puerta de control y la fuente y el drenaje existe una segunda puerta, denominada de flotación que sirve a modo de mecanismo de carga.

La memoria Flash es todavía tan nueva que no existe un único método de fabricación. Los fabricantes utilizan unos doce enfoques diferentes para fabricar y organizar las celdas de memoria Flash sobre una oblea de silicio

NOR constituye la tecnología líder actual e Intel es su fabricante principal. Organiza las celdas de memoria en paralelo, con el drenaje de cada celda conectado a una línea de bits, agrupándose varias líneas de bits para constituir un grupo de E/S. NOR proporciona acceso aleatorio más rápido, pero su estructura en paralelo reduce la densidad de la memoria.

NAND es una tecnología utilizada por National Semiconductor, Samsung y otros fabricantes. Conecta las celdas en serie, con una puerta de selección para cada puerta de control inferior y conexiones en serie con las puertas de control de este grupo de puertas. NAND ofrece una velocidad de acceso aleatorio menos elevada, pero permite densidades mayores gracias a sus celdas de tamaño más pequeño.

Otras definiciones y significado de Memoria Flash

Chip de memoria que mantiene su contenido sin energía, pero que debe borrarse en bloques fijos, en lugar de bytes solos. Los tamaños de los bloques por lo general van de 512 bytes hasta 256KB. El término fue acuñado por Toshiba, por su capacidad para borrarse “en un flash” (instante). Derivados de EEPROM, los chips flash son menos costosos y proporcionan mayores densidades de bits. Además, el flash se está convirtiendo en una alternativa para los EPROM porque pueden actualizarse fácilmente.

Importancia de La memoria Flash

Las memorias Flash se han convertido en algo importante para aquellos productos que necesitan una pequeña cantidad de almacenamiento no volátil para datos y programas.

La mayoría de las aplicaciones actuales de memoria Flash en ordenadores, se centran en sustituir las EPROM y EEPROM (almacenamiento de código) en vez de almacenar datos.
Las memorias Flash quizás continúen utilizándose como almacén de BIOS, pero es muy probable que el empujón tan esperado de dichas memorias como almacenamiento de datos no provenga de los ordenadores.
Afortunadamente para los fabricantes de memoria Flash, la demanda ha superado a la oferta y todos han dispuesto un mercado seguro, con absoluta independencia de la tecnología emplea.

Configuración de las compuertas

Componentes internos de un llavero USB típico:

1 Conector USB
2 Dispositivo de control de almacenamiento masivo USB
3 Puntos de Prueba
4 Circuito de Memoria flash
5 Oscilador de cristal
6 LED
7 Interruptor de seguridad contra escrituras
8 Espacio disponible para un segundo circuito de memoria Flash

Componentes primarios:



Las partes típicas de una memoria USB son las siguientes:

· Un conector USB macho tipo A
(1): Provee la interfaz física con la computadora.
(2): Implementa el controlador USB y provee la interfaz homogénea y lineal para dispositivos USB seriales orientados a bloques, mientras oculta la complejidad de la orientación a bloques, eliminación de bloques y balance de desgaste. Este controlador posee un pequeño microprocesador RISC y un pequeño número de circuitos de memoria RAM y ROM.

· Circuito de memoria Flash NAND (4): Almacena los datos.
Oscilador de cristal (5): Produce la señal de reloj principal del dispositivo a 12 MHz y controla la salida de datos a través de un bucle de fase cerrado (phase-locked loop)

Componentes adicionales:

Un dispositivo típico puede incluir también:

· Puentes y Puntos de prueba (3): Utilizados en pruebas durante la fabricación de la unidad o para la carga de código dentro del procesador.

· LEDs (6): Indican la transferencia de datos entre el dispositivo y la computadora.

· Interruptor para protección de escritura (7): Utilizado para proteger los datos de operaciones de escritura o borrado.

· Espacio Libre (8): Se dispone de un espacio para incluir un segundo circuito de memoria. Esto les permite a los fabricantes utilizar el mismo circuito impreso para dispositivos de distintos tamaños y responder así a las necesidades del mercado.

· Tapa del conector USB: Reduce el riesgo de daños y mejora la apariencia del dispositivo. Algunas unidades no presentan una tapa pero disponen de una conexión USB retráctil. Otros dispositivos poseen una tapa giratoria que no se separa nunca del dispositivo y evita el riesgo de perderla.

·
Ayuda para el transporte: En muchos casos, la tapa contiene una abertura adecuada para una cadena o collar, sin embargo este diseño aumenta el riesgo de perder el dispositivo. Por esta razón muchos otros tiene dicha abertura en el cuerpo del dispositivo y no en la tapa, la desventaja de este diseño está en que la cadena o collar queda unida al dispositivo mientras está conectado. Muchos diseños traen la abertura en ambos lugares.

Desarrollos futuros:

Las empresas de semiconductores están haciendo un gran esfuerzo en reducir los costos de los componentes mediante la integración de varias funciones de estos dispositivos en un solo chip, esto produce una reducción de la cantidad de partes y, sobre todo, del costo total.
Actualmente se está tratando de desarrollar en dichos lugares los dispositivos flash a una velocidad mayor gracias al futuro puerto USB 3.0.

Sin embargo, este dispositivo flash USB 3.0. está mejorado y alcanza una buena velocidad de transmisión debido a su nueva tecnología.

USB 3.0

Presentado en el año 2008. Aunque está listo para su uso, es probable que pase entre uno o dos años, para ser incluido en dispositivos de uso masivo, lo que sitúa la aparición de productos con esta nueva especificación a partir del año 2009]] o 2010.

La principal novedad técnica del puerto USB 3.0. será que eleva a 4.8 gigabits/s la capacidad de transferencia que en la actualidad es de 480 Mb/s. Se mantendrá el cableado interno de cobre para asegurarse la compatibilidad con las tecnologías USB 1.0 y 2.0.

Si en USB 2.0 el cable dispone de cuatro líneas, un par para datos, una de corriente y una de toma de tierra, en USB 3.0 se añade cinco líneas. Dos de ellas se usarán para el envío de información y otras dos para la recepción, de forma que se permite el tráfico bidireccional, en ambos sentidos al mismo tiempo. El aumento del número de líneas permite incrementar la velocidad de transmisión desde los 480 Mb/s hasta los 4,8 Gb/s. De aquí se deriva el nombre que también recibe esta especificación: USB Superspeed.

La cantidad de energía que transporta un cable USB 1.x y 2.0 resulta insuficiente en muchas ocasiones para recargar algunos dispositivos, especialmente si utilizamos concentradores donde hay conectados varios de ellos. En USB 3.0, se aumenta la intensidad de la corriente de 100 miliamperios a 900 miliamperios, con lo que pueden ser cargados más dispositivos o hacerlo más rápido. Este aumento de la intensidad podría traer consigo un menor rendimiento energético. Pero pensando en ello, USB 3.0 utiliza un nuevo protocolo basado en interrupciones, al contrario que el anterior que se basaba en consultar a los dispositivos periódicamente.

El aumento de líneas en USB 3.0 provoca que el cable sea más grueso, un inconveniente importante. Si hasta ahora los cables eran flexibles, con el nuevo estándar estos tienen un grueso similar a los cables que se usan en redes Ethernet, siendo por tanto más rígidos.
Afortunadamente, igual que pasa entre USB 1.1 y USB 2.0 la compatibilidad está garantizada entre USB 2.0 y USB 3.0, gracias al uso de conectores similares, cuyos contactos adicionales se sitúan en paralelo, de forma que no afectan en caso de usar algún puerto que no sea del mismo tipo.

Video ¿Cómo se fabrican las memorias USB?

Condensadores y Bobinas

NOTA: Por dificultad al subir imagenes al blog, publico versión en PDF "aqui".

UNIVERSIDAD COOPERATIVA DE COLOMBIA

INGENIERIA ELECTRONICA Y TELECOMUNICASIONES

BIBINAS Y CONDENSADORES

CIRCUITOS 2

Facultad Ingeniería Electrónica y Telecomunicaciones

Abril de 2010

INTRODUCCIÓN

En este segundo informe de laboratorio queremos analizar los siguientes circuitos RC, RL, RCL en el manejo de desfaces y sus aplicaciones, como también las diferentes teorías de construir bobinas. Las señales que nos brinda el generador de ondas “ICL 8038”, nos permite trabajar con los elementos vistos en clase los angulos de desfaces de los circuitos nombrados para poder hacer cálculos de la corriente, voltaje, potencia, frecuencia

Con este trabajo podemos ver la teoria mostrada por el profesor Edgar Mantilla en el aula de clase aplicada a los distintos procesos que hemos venido haciendo con las mediciones de resistencia interna, bobinas, y frecuencias de las mismas, como tambien la utilización del medidor de circuitos RCL que dispone la universidad.

con los datos que veremos a continuación del trabajo podremos ver las simulaciones en los distintos paquetes computacionales de electrónica y matemática como lo son el Mathcad, y spsice, simulando las distintas ondas y los distintos desfases, componentes en vectores para analizar las ondas.

OBJETIVOS

Poder mostrar a través de las practicas realizadas en el laboratorio de electrónica el funcionamiento de los procesos teóricos fundamentados por el profesor Edgar Mantilla sobre los circuitos RC, RL, RCL , medidas de bobinas y su realización mediante las distintas formulas dadas en este trabajo.

mirar como se comportan los circuitos en la practica con los datos tomados en el laboratorio y asi hacer una comparación mas exhausta de las diferentes formas que podemos tomar de nustro generador de señales, con el cual hemos venido trabajando desde que inicio el semestre.

MARCO TEORICO

CÁLCULO DE BOBINAS

Lamentablemente no existe una fórmula mágica que nos permita fabricar una bobina teniendo como dato solo la inductancia deseada. Juegan algunos factores como dimensiones físicas, tipo de alambre, tipo de núcleo, el destino que tendrá (audio, video, VHF, UHF), etc. Sin embargo hay una fórmula que nos permite obtener la inductividad de una bobina basándose en sus dimensiones físicas y tipo de material, la cual nos permitá calcular que resultado nos dará una bobina "teórica". El logro de la inductividad deseada solo será el resultado de una serie de pruebas-error. (al menos sabremos qué tendremos antes de empezar a enrollar alambre). Donde L es la inductividad de la bobina en henrios (H), u(mu) es la permeabilidad del núcleo, n es el número de espiras de la bobina, s la superficie cubierta por el núcleo en cm² y l la longitud de la bobina en cm.

u(mu en griego) es un número entero que representa la permeabilidad magnética del material del núcleo, es decir su capacidad para absorber lineas de fuerza magnéticas.
Haciendo una comparación nada elegante digamos que una pieza de aluminio y otra de hierro son permeables a un campo magnético en forma comparable a la de un trozo de plástico y una esponja respectivamente son permeables al agua.
Existen tablas que describen las propiedades permeables de distintos materiales, (incluso el vacio absoluto), pero por razones prácticas veremos solo la de los materiales más usados en electrónica: aire=1, magnetocerámica(ferrite)=10, polvo de hierro= 30 (los rangos de u de piezas comerciales de polvo de hierro van de 10 a 100, aunque 30 parece ser el más común)

En primer lugar tomemos sus medidas:

El diámetro medio es de 8mm y para l tenemos 10mm, lleva un núcleo de ferrite (permeabilidad 10), y como no le daremos ninguna utilidad procedemos a terminar sus días desenrollando el bobinado y contando las vueltas. (Esto es lo que algunos llaman una auténtica "prueba destructiva"). La cuenta nos da 90 espiras.
Ahora: la superficie s = pi r² = 3.14159269 0.4²= ~0.5cm² ; y n²= 8100 ;
para L = 10 1.257 (8100 0.5 / 10⁸)= ~510uH
Si le hubiésemos quitado el ferrite la permeabilidad del núcleo se hubiera reducido a 1 (aire), con lo que la inductividad final hubiese sido 51uH.

Ejemplo 3:

Necesitamos armar una bobina de 1.5mH.
Vimos que la bobina del primer ejemplo poseia una inductancia de 510uH. Ahora con la fórmula de cálculo a mano vemos que la inductancia es directamente proporcional al área y permeabilidad del material del nucleo y al número de espiras, e inversamente proporcional a la longitud.

Supongamos que queremos aprovechar el cuerpo de la bobina del primer ejemplo y rebobinarla para una inductancia de 1.5mH. Probamos al "tanteo" duplicando el número de espiras:
Sabemos que s=0.5cm², long.=1cm, u=10, n=(era 90, ahora 180)
L = 10 1.257 ((32400 0.5)/(10⁸) = ~ 2mH
Con 180 espiras "nos pasamos" del 1.5mH, entonces probamos con 150 y nos da un valor de alrededor de 1.4mH, más bajo de lo deseado, pero mas cercano.
Ahora podemos seguir intentando con otros valores para el número de espiras, o aprovechar los datos que tenemos y modificar la fórmula anterior para hallarlo.

que con los datos para nuestra bobina dados nos da 154,5 espiras.
Aca la fórmula anterior modificada para hallar otros valores.

En la fabricación de bobinas existen otros elementos que influyen en el valor de inductividad final, no mencionados en las fórmulas, y que alteran el resultado sensiblemente, como ser, diámetro y material del alambre usado, inductividades parásitas, información erronea sobre permeabilidad del núcleo, inferencias con otras bobinas o cuerpos metálicos una vez montadas, etc.
Esto hace que en la obtención de una inductancia deseada influya también una buena dosis de práctica.

Una resistencia conectada a un generador de corriente alterna

La ecuación de este circuito simple es (intensidad por resistencia igual a la fem)

iR=V₀sen(w t)

La diferencia de potencial en la resistencia es

v_R= V₀sen(w t)

En una resistencia, la intensidad i_R y la diferencia de potencial v_R están en fase. La relación entre sus amplitudes es

Como vemos en la representación vectorial de la figura, al cabo de un cierto tiempo t, los vectores rotatorios que representan a la intensidad en la resistencia y a la diferencia de potencial entre sus extremos, ha girado un ángulo w t. Sus proyecciones sobre el eje vertical marcados por los segmentos de color azul y rojo son respectivamente los valores en el instante t de la intensidad que circula por la resistencia y de la diferencia de potencial entre sus extremos.

Un condensador conectado a un generador de corriente alterna

En un condensador la carga q, la capacidad C y diferencial de potencial v entre sus placas están relacionadas entre sí

q=C·v

Si se conecta las placas del condensador a un generador de corriente alterna

q=C· V₀sen(w t)

La intensidad se obtiene derivando la carga respecto del tiempo, i=dq/dt

Para un condensador, la intensidad i_C está adelantada 90º respecto a la diferencia de potencial v_C. La relación ente sus amplitudes es

Una bobina conectada a un generador de corriente alterna

Ya hemos estudiado la autoinducción y las corrientes autoinducidas que se producen en una bobina cuando circula por ella una corriente i variable con el tiempo..

La ecuación del circuito es (suma de fem es cero, ya que la resistencia es nula)

Integrando esta ecuación obtenemos i en función del tiempo

La intensidad i_L de la en la bobina está retrasada 90º respecto de la diferencia de potencial entre sus extremos v_L. La relación entre sus amplitudes es

v=V₀ sen(w t)

Circuito LCR en serie

Dibujamos el diagrama de vectores teniendo en cuenta que la intensidad que pasa por todos los elementos es la misma al estar dispuestos en serie, y que la suma (vectorial) de las diferencias de potencial entre los extremos de los tres elementos nos da la diferencia de potencial en el generador de corriente alterna.

El vector resultante de la suma de los tres vectores es

Se denomina impedancia del circuito al término

de modo que se cumpla una relación análoga a la de los circuitos de corriente continua

V₀=I₀·Z.

El ángulo que forma el vector resultante de longitud V₀ con el vector que representa la intensidad es

Las expresiones de la fem y de la intensidad del circuito son

La intensidad de la corriente en el circuito está atrasada un ángulo j respecto de la fem que suministra el generador.

Resonancia en un circuito LCR en serie

La condición de resonancia la estudiamos en las oscilaciones forzadas de una masa unida a un muelle eléstico.

La potencia suministrada por el generador de corriente alterna es

P=i·v=V₀·I₀sen(w t)·sen(w t-j )

Esta magnitud es una función complicada del tiempo que no es útil desde el punto de vista práctico. Lo que tiene interés es el promedio de la potencia sobre un periodo 2p /w .

El valor medio de la energía por unidad de tiempo o potencia suministrada por el generador es

El último término, cos(j ) se denomina factor de potencia.

El valor de <P> es máximo cuando el ángulo de desfase j es cero, para ello se tiene que cumplir que

es decir, la frecuencia w del generador de corriente alterna debe coincidir con la frecuencia natural o propia w₀ del circuito oscilante.

Cuando w =w₀ se cumple que

• La intensidad de la corriente I₀ alcanza su valor máximo
• La intensidad de la corriente en el circuito i y la fem v están en fase
• La energía por unidad de tiempo

  suministrada por el generador es máxima

Frecuencia de resonancia LC:

Donde C es el valor de capacidad en faradios (F), L el valor de inductividad en henrios (H) y f es la frecuencia a hallar en hertz (Hz).

Nota: por razones prácticas pueden expresarse C en microfaradios (uF), L en microhenrios (uH) y la frecuencia es obtenida en megahertz (MHz).

LF353

La descripción:

El NTE858M y NTE858SM son que JFET dual, poco ruido entró amplificadores operacionales que combinan dos tecnologías lineales innovadoras en un solo circuito integrado monolítico. Cada uno compensó internamente el amplificador operacional ha emparejado bien el voltaje alto JFET entró los dispositivos para la entrada baja compense el voltaje. La tecnología de BIFET proporciona el bandwidths ancho y ayuno mataron las proporciones con las corrientes de prejuicio de entrada bajas, la entrada compensó las corrientes, y corrientes del suministro. Es más, estos dispositivos exhiben poco ruido y baja distorsión armónica que los hace ideal para el uso en las aplicaciones audias de alta fidelidad.

Los rasgos:

• El Voltaje de Ruido de Entrada bajo
• La Distorsión Armónica baja
• El Prejuicio de la Entrada bajo y Corrientes del Desplazamiento
• La Impedancia de la Entrada alta
• Alto Mató la Proporción
• La ganancia banda ancha
• El Suministro bajo Actual
• Disponible en 8-lleve la ZAMBULLIDA Mini (NTE858M) y Montaña de la Superficie SOIC-8 (NTE858SM)

Las Valuaciones Máximas absolutas:

Proporcione Voltaje, VCC,		+18V
Proporcione Voltaje, VEE,		-18V
El diferencial Entró Voltaje, VID,		±30V
El Rango de Voltaje de entrada (Nota 1), VIDR		±15V
La Duración de Cortocircuito de rendimiento (Nota 2), tS		Continuo
La Dissipation de Power, PD,		680mW
Derate Sobre +47°C		10mW/°C
El Rango de Temperatura Ambiente operando, TA,		El 0°C a +70°C
El Rango de Temperatura de almacenamiento, Tstg,		-65°C a +150°C

Note 1.	La magnitud del voltaje de la entrada no debe exceder la magnitud del voltaje del suministro o 15V, quienquiera es menos.
Note 2.	El rendimiento puede ponerse en cortocircuito a GND o cualquier suministro. Deben limitarse temperatura y/o voltajes del suministro para asegurar ese valuaciones de dispersión de poder no se excede.

Las Características eléctricas: (VCC = +15V, VEE = -15V, TA = +25°C, a menos que por otra parte especificó)

El parámetro	El símbolo	Las Condiciones de la prueba		Min	Typ	Max	Las unidades
La entrada Compensó el Voltaje	VIO	RS < / = 10k Ohm, VCM = 0		-	3	10	el mV
			TA = 0° to +70°C	-	-	13	mV
El medio Coeficiente de Temperatura de Voltaje de Desplazamiento de Entrada	VIO/T	TA = el 0° a +70°C		-	10	-	µV/°C
La entrada Compensó Actual	IIO	VCM = 0, Note 3		-	5	50	el papá
			TA = el 0° a +70°C	-	-	2	el nA
El Prejuicio de la entrada Actual	IIB	VCM = 0, Note 3		-	30	200	el papá
			TA = el 0° a +70°C	-	-	7	el nA
La Resistencia de la entrada	el ri			-	1012	-	El ohm
El Modo Entrada Voltaje Rango común	VICR			±10	+15, -12	-	V
La Ganancia de Voltaje de grande-signo	AVOL	VO = ±10V, RL < / = 2k Ohm		25	150	-	V/mV
			TA = el 0° a +70°C	15	-	-	V/mV
El Balance de Voltaje de rendimiento (el Cresta-a-cresta)	VO	RL = 10k Ohm		24	28	-	V
		RL > / = 10k Ohm	TA = el 0° a +70°C	24	-	-	V
		RL > / = 2k Ohm		20	-	-	V
La Proporción de Rechazo de Modo común	CMRR	RS < / = 10k Ohm		70	100	-	el dB
Proporcione la Proporción de Rechazo de Voltaje	PSRR	RS < / = 10k Ohm		70	100	-	el dB
El suministro Actual (Cada Amplificador)	ID			-	1.4	2.5	MA
La Ganancia de unidad Bandwidth	BW			-	4	-	MHz
Matado la Proporción	SR	VIN = 10V, RL = 2k Ohm, CL = 100pF		-	13	-	V/µs
El levantamiento Time	el tr			-	0.1	-	µs
Rebase el factor		VIN = 20mV, RL = 2k Ohm, CL = 100pF		-	10	-	%
El Voltaje de Ruido de Entrada equivalente	el en	RS = 100 Ohm, f = 1000Hz		-	18	-	el nV/(Sq Rt)Hz
La Corriente de Ruido de Entrada equivalente	en	RS = 100 Ohm, f = 1000Hz		-	0.01	-	el pA/(Sq Rt)Hz
El total la Distorsión Armónica	THD	VO(rms) = 10V, RS < / = 1k Ohm, RL > / = 2k Ohm, f = 1000Hz		-	0.01	-	%
Encauce la Separación		AV = 100		-	120	-	el dB

Note 3.

Las corrientes de prejuicio de entrada de entrada de JFET los amplificadores operacionales aproximadamente doble para cada 10°C levantamiento en la temperatura de la unión. Para mantener la temperatura de la unión como cerca de la temperatura ambiente como posible, deben usarse las técnicas del pulso durante la prueba.

Diagrama de Conexión

La Descripción del sistema:

El NTE864 precisión waveform generador produce muy estable y cuadrado del sweepable, el triángulo, y el seno ondea por ocho décadas de frecuencia. El tiempo del dispositivo bajo emplea resistencias y un condensador para la frecuencia y determinación de ciclo de deber. El generador contiene el comparators dual, un chancletas los swith tendencia, fuentes actuales, pulidores, y un conversor de ola de seno. Tres waveforms de frecuencia idénticos están simultáneamente disponibles. Proporcione el voltaje puede ir de 10V a 30V, o ±5V a ±15V con los suministros duales.

La distorsión de ola de seno sin ajustar está típicamente menos de 0.7% con Pin1 abra y 82k Ohm de Pin12 a Pin11 (=V o GND). La distorsión de ola de seno puede ser mejorada incluyendo dos 100k Ohm potentiometers entre VCC y -V (o GND), con un connecrted del limpiador a Pin1 y el otro conectó a Pin12.

La desviación de frecuencia pequeña (FM) es cumplido aplicando el voltaje de la modulación a Pin7 y Pin8; la desviación de frecuencia grande (barriendo) es cumplido sólo aplicando el voltaje a Pin8. El rango del barrido es típicamente 1000:1.

El rendimiento de la ola cuadrado es un transistor del coleccionista abierto; el balance de amplitud de rendimiento estrechamente los acercamientos el voltaje del suministro. La Triange rendimiento amplitud es típicamente 1/3 del suministro, y el rendimiento de ola de seno alcanza 0.22 del voltaje del suministro.

Pin Connection Diagram